Група фізиків під керівництвом Джейсона Мармона з Університету штату Північної Кароліни запропонувала використовувати новий тип транзисторів, чия робота заснована на фотоефекті. Такий підхід дозволить зменшити розміри транзисторів, і закон Мура, відповідно, продовжить діяти і далі. Препринт статті був розміщений на сайті arXiv.org.
Схема пристрою польових транзисторів (зліва) і LET-транзисторів (праворуч).
Постійне збільшення кількості польових транзисторів на інтегральних мікросхемах, яке описується законом Мура, пов’язано зі зменшенням їх розмірів. Однак сучасні польові транзистори мають вже досить маленькими розмірами, так що товщина напівпровідників досягає всього лише кількох атомних шарів. Застосування легуючих сумішей, покликаних поліпшити напівпровідникові властивості, може непередбачувано вплинути на роботу транзистора через наявність зайвих атомів. Також проблемою є виготовлення таких компонентів, як затвори.
Вчені запропонували використовувати LET-транзистор, канал якого складається з двох контактів метал-напівпровідник. Кожен перехід може бути як джерелом (S), через який носії заряду входять в канал транзистора, так і стоком (D), через який йдуть. Сам канал є напівпровідниковим нанокристалів. При цьому у LET-транзистора відсутня затвор – електрод, через який подається вхідна напруга, що регулює потік електронів від витоку до стоку. Замість цього S-D провідність модулюється світлом. Крім цього, перехід носіїв заряду в зону провідності напівпровідника здійснюється не через термоактивації напівпровідників, а через оптичне поглинання.
Фізики створили прототип LET-транзистора на основі ниткоподібних нанокристалів з CdSe. Отриманий транзистор продемонстрував технічні характеристики удосконалених польових транзисторів.
Спрощена архітектура LET-транзистора дозволяє вирішити проблеми, пов’язані з виготовленням затворів і поліпшенням властивостей напівпровідників, а також знизити вартість виробництва. Завдяки будові каналу і використання принципів фотоефекту, транзистор може демонструвати властивості, характерні для многозатворних транзисторів, і використовуватися, таким чином, в реалізації логічних елементів. Таким чином, єдиним обмеженням кількості розміщуваних на інтегральних мікросхемах провідників залишається квантовий рівень.
Закон Мура був запропонований одним із засновників компанії Intel Гордоном Муром. Він описує подвоєння числа транзисторів на мікросхемах кожні два роки, в результаті чого відбувається експоненціальне зростання потужності обчислювальних пристроїв. Закон був заснований на простому спостереженні і, хоча існують його приклади і в інших сферах виробництва і економіки, в майбутньому він повинен зіткнутися з фундаментальними обмеженнями, оскільки нескінченне зростання неможливий через закони природи.