Подальший розвиток мікроелектроніки неможливо уявити без вдосконалення технологій виробництва напівпровідників. Щоб розширити межі і навчитися випускати все більш дрібні елементи на кристалах потрібні нові технології і нові інструменти. Однією з таких технологій може стати проривна розробка американських вчених.
Група дослідників з Аргонської національної лабораторії Міністерства енергетики США розробила нову методику створення і травлення найтонших плівок на поверхні кристалів. Потенційно це може привести до виробництва чіпів з меншими масштабами технологічних норм, ніж сьогодні і в найближчій перспективі. Публікація про дослідження розміщена в журналі Chemistry of Materials.
Запропонована методика нагадує традиційний процес атомно-шарового осадження і травлення, тільки замість неорганічних плівок нова технологія створює і працює з органічними плівками. Власне, за аналогією нова технологія названа молекулярно-шаровим осадженням (MLD, molecular layer deposition) і молекулярно-шаровим травленням (MLE, molecular layer etching).
Як і в разі атомно-шарового травлення метод MLE використовує газову обробку в камері поверхні кристала з плівками з матеріалу на органічній основі. Кристал циклічно обробляється двома різними газами поперемінно до тих пір, поки плівка истончить до заданої товщини.
В експерименті вчені використовували для молекулярного травлення газ з вмістом солей літію і газ на основі триметилалюмінію. В процесі травлення з’єднання літію реагувало з поверхнею плівки алукона (alucone) таким чином, що літій осідав на поверхні і руйнував хімічний зв’язок в плівці. Потім подавався триметилалюмінію, який видаляв шар плівки з літієм, і так по черзі до тих пір, поки плівка не зменшується до потрібної товщини. Хороша керованість процесом, впевнені вчені, може дозволити запропонованої технології підштовхнути розвиток напівпровідникового виробництва.
