Close Menu
Український телекомунікаційний портал
    Facebook X (Twitter) Instagram Threads LinkedIn Telegram RSS
    Український телекомунікаційний портал
    • Новини
    • Мобільна техніка
    • Технології
    • ПЗ
    • Наука
    • Транспорт
    • Дім
    • Обладнання
    • Здоров’я
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram Threads LinkedIn RSS Bluesky
    Український телекомунікаційний портал
    Home»Новини»Технології»Новий магнітоелектричний транзистор – загроза панування кремнієвих технологій
    Технології

    Новий магнітоелектричний транзистор – загроза панування кремнієвих технологій

    ВолодимирBy Володимир18.04.20228 коментарів2 Mins Read
    Facebook Twitter Email Telegram Copy Link

    Відомо, що виготовлені з кремнію транзистори є основними “цеглинами”, з яких будується вся сучасна електроніка. Згідно з відомим законом Гордона Мура, кількість транзисторів у сучасних процесорах має подвоюватися кожні два роки. На жаль, цього закону вже не дотримується деякий час навіть з огляду на постійне значне зменшення розмірів транзисторів. Упакуйте величезну кількість нехай навіть найменших транзисторів на кристал чіпа, і відразу виникне ряд серйозних проблем, пов’язаних зі споживанням енергії, кількістю тепла, що виділяється і т.п.

    Об’єднавши зусилля, дослідники з університету Буффало та університету Небраски-Лінкольна спроєктували новий тип транзистора, виготовленого не з кремнію та набагато ефективнішого, ніж його кремнієві аналоги. У традиційних транзисторах електричний потенціал на електроді, що управляє, затворі, керує струмом через канал транзистора. Але в новому типі транзистора замість струму через канал використовують обертання електронів.

    Ключовим компонентом нового транзистора є шар графену, форма вуглецю, кристалічна решітка якого має одноатомну товщину. Цей шар відіграє ключову роль через одну унікальну властивість графена, завдяки якому електрони, що переміщуються в ньому, здатні зберігати напрям свого обертання тривалий час. Під шаром графену у структурі транзистора знаходиться шар оксиду хрому, що виконує роль свого роду стабілізатора.

    Коли на певні елементи структури транзистора подано позитивну напругу, що управляє, обертання електронів у шарі оксиду хрому і графену вирівнюється направо. Прикладена негативна напруга викликає зворотний ефект – обертання електронів вирівнюється у зворотний бік. Ці два стани легко детектуються і можна співвіднести з 1 і 0 двійкового коду.

    Зараз дослідники проводять низку математичних моделювань, результати яких вказують на те, що параметри таких магнітоелектричних транзисторів виходять далеко за межі можливостей кремнієвих транзисторів. Особливо великий ефект використання транзисторів нового типу в області пристроїв зберігання інформації, шляхом деяких особливостей сумарна кількість транзисторів у таких пристроях може скоротитися на 75 відсотків, що може призвести до скорочення глобального споживання енергії цифровими пристроями на 5 відсотків. А дуже приємним бонусом є те, що магнітоелектричні транзистори здатні запам’ятовувати та зберігати свій стан навіть у вимкненому стані.

    На жаль, зараз у світі існують лише перші дослідні зразки магнітоелектричних транзисторів, і дослідникам ще доведеться пройти довгий і складний шлях перш ніж такі транзистори дістаються їх масового використання в електроніці.

    Читайте також

    Дрон Mayhem 10 готують до роботи там, де зв’язок зникає: що змінить нова технологія

    15.10.2026

    Apple HomeView інтригує – які застосунки він підтримуватиме

    14.10.2026

    Армія об’єднує супутники й дрони в одну систему: розвідка стане точнішою

    13.10.2026

    Останні

    Hyundai робить ставку на квадратний дизайн у Tucson 2027 року

    15.10.2026

    Лікарі знайшли новий спосіб боротьбі з агресивним раком легень

    15.10.2026

    Вчені відкрили новий різновид алмазу, який раніше існував лише в теорії

    15.10.2026

    Дрон Mayhem 10 готують до роботи там, де зв’язок зникає: що змінить нова технологія

    15.10.2026
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram RSS
    • Контакти/Contacts
    • Про нас
    • Редакційна політика
    © 2026 Portaltele.com.ua. Усі права захищено. Копіювання матеріалів дозволено лише з активним гіперпосиланням на джерело.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.