Чипы памяти LPDDR3 с низким энергопотреблением были анонсированы ведущими производителями, включая Samsung и Elpida, ещё в прошлом году. Теперь ассоциация JEDEC официально опубликовала стандарт JESD209-3, разработанный для возрастающих требований к оперативной и графической памяти со стороны смартфонов, планшетов, тонких ноутбуков и других современных мобильных устройств.
Сохраняя преемственность ко многим характеристиками предшествующего стандарта, LPDDR3 предоставляет более высокую пропускную способность, плотность памяти и улучшенную энергоэффективность (на 25% при одинаковой частоте). Скорость нового стандарта памяти достигает 1600 Мбит/с против 1066 Мбит/с по сравнению с LPDDR2.
По сравнению с самой быстрой памятью LPDDR2 @1066 МГц, пропускная способность LPDDR3 возросла с 4,3 Гбайт/с до 6,4 Гбайт/с в одночиповой конфигурации с 32-битной шиной и 12,8 Гбайт/с в двухчиповой с 64-битной шиной. Кроме этого, интегрированы ряд новых возможностей, улучшающих надёжность и быстродействие памяти: Write-Leveling, CA Training, On Die Termination, Low I/O capacitance. Чипы производятся в формате FBGA.
Председатель совета директоров JEDEC Миан Квуддас (Mian Quddus) отметил, что LPDDR3 построен на основе революционного стандарта LPDDR2, открывшего путь высокопроизводительным мобильным устройствам с низким энергопотреблением, и призван удовлетворить нужды мобильных продуктов нового поколения. Появление этого стандарта памяти позволит нарастить производительность, особенно в требовательных задачах вроде игр.