Компании Nantero, Fujitsu Semiconductor и Mie Fujitsu Semiconductor подписали соглашение, в рамках которого компания Nantero лицензирует свою технологию NRAM, технологию производства энергонезависимой памяти нового типа NRAM, основным элементом которой являются углеродные нанотрубки.
Благодаря применению углеродных нанотрубок память NRAM обладает поистине выдающимися характеристиками. Она обладает быстродействием, сопоставимым с быстродействием динамической памяти DRAM, что в тысячу раз быстрее традиционной NAND Flash-памяти. О высокой надежности NRAM-памяти говорит то, что она обеспечивает сохранность данных на протяжении 1000 лет при температуре окружающей среды не выше 85 градусов Цельсия, а при температуре до 300 градусов Цельсия срок хранения данных снижается до 10 лет. Рабочее напряжение ячеек NRAM-памяти составляет 1 Вольт, а количество циклов перезаписи измеряется сотнями миллиардов. Новая память производится по стандартной CMOS-технологии и в перспективе размер каждой ячейки может быть уменьшен до 5 нанометров.
Компания Fujitsu Semiconductor планирует разработать первые образцы микросхем NRAM-памяти к концу 2018 года. После этого начнется разработка целой линейки чипов новой памяти, которые уже и будут доступны на потребительском рынке как отдельный продукт. Компания же Mie Fujitsu Semiconductor, которая является производителем микросхем, предложит своим клиентам уже готовые решения, в том числе специализированные микропроцессоры и микроконтроллеры, в состав которых будут входить массивы NRAM-памяти.
Энергонезависимая память NRAM на основе углеродных нанотрубок: 1 комментарий
Обсуждение закрыто.