Close Menu
Український телекомунікаційний портал
    Facebook X (Twitter) Instagram Threads
    Український телекомунікаційний портал
    • Новини
    • Мобільна техніка
    • Технології
    • ПЗ
    • Наука
    • Транспорт
    • Дім
    • Обладнання
    • Здоров’я
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram
    Український телекомунікаційний портал
    Home»Новини»Технології»Наноэлектронные схемы достигают скорости в 245 терагерц
    Технології

    Наноэлектронные схемы достигают скорости в 245 терагерц

    ВолодимирBy Володимир23.04.20142 коментарі2 Mins Read
    Facebook Twitter Email Telegram Copy Link

    Наноэлектронные схемы достигают скорости в 245 терагерцИсследователи из Сингапурского национального университета разработали и изготовили электросхемы, которые могут достигать скорости в 245 терагерц, т.е. в десятки тысяч раз быстрее, чем современные микропроцессоры. Такой результат открывает новые возможные способы применения плазмон-электроники, которая сочетает наноэлектронику с высокой скоростью работы оптики.

    Когда свет взаимодействует с некоторыми металлами, он может быть зафиксирован в форме объединенных, невероятно быстрых колебаний электронов, которые называются плазмонами. Что касается использования его энергии, то взаимодействие фотонов и электронов может быть применено в создании сверхбыстрых компьютеров (среди прочего). Но данный феномен возникает на таком малом масштабе, что пока не существует приборов для того, чтобы просто его исследовать, не говоря уже об использовании энергии.

    Ассистент профессора Кристиан А. Ниджуис (Christian A. Nijhuis) вместе с коллегами нашли новый способ использовать энергию квантово-плазмонных эффектов даже при помощи электроники современного поколения, используя процесс, называемый «квантово-плазмонным туннелированием».

    Наноэлектронные схемы достигают скорости в 245 терагерц

    Исследователи создали электросхему молекулярного масштаба, состоящую из двух плазмонных резонаторов (структуры, которые могут превращать фотоны в плазмоны), разделенных одним слоем молекул размером всего лишь в 0,5 нанометров.

    Используя электронную микроскопию, Ниджуис вместе с коллегами увидел, что слой молекул позволяет произойти квантово-плазмонному туннелированию, что обеспечивает частоту работы микросхемы до 245 терагерц. Более того, частота электросхемы может быть настроена путем изменения материала молекулярного слоя.

    Впервые ученым удалось наблюдать квантово-плазмонное туннелирование напрямую, и это подтверждает то, что молекулярная электроника может выдерживать скорости, которые намного выше, чем в современных устройствах.

    Будущие исследования будут включать плазмонно-электронные гибриды, которые сочетают наноэлектронику с высокими скоростями оптики и фотонным детектором с одной молекулой. Исследователи сейчас направят свои усилия на то, чтобы попытаться внедрить эти устройства в настоящие электронные схемы.

    Результаты исследования опубликованы в последнем выпуске журнала Science.

    http://nauka21vek.ru

    Читайте також

    Вчені навчилися ефективніше перетворювати зайве тепло на електрику

    05.02.2026

    Розроблено систему 3D-друку для будівництва під водою

    02.02.2026

    Фахівці створили бетон з пустельного піску та деревини

    31.01.2026

    Останні

    Apple готує п’ять нових пристроїв

    09.02.2026

    Mazda завершує випуск найстарішого кросовера CX-3

    09.02.2026

    Sony PlayStation 6 отримає 30 ГБ пам’яті GDDR7 зі 160-бітною шиною

    09.02.2026

    Вчені вперше провели квантову телепортацію в реальній інтернет-мережі

    09.02.2026
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram RSS
    • Контакти/Contacts
    © 2026 Portaltele.com.ua. Усі права захищено. Копіювання матеріалів дозволено лише з активним гіперпосиланням на джерело.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version