Сьогодні топові смартфони мають 64-128 ГБ накопичувача, проте вже за декілька років цей обсяг буде видаватись мізерним. Учені Університету Райса розробили нову технологію резистивної оперативної пам’яті (RRAM), яка дозволить виготовляти гаджети з диском на терабайт. Технологія RRAM – це різновид енергонезалежної пам’яті, яка зберігає дані за відсутності електричного струму.
Її принцип роботи базується на зміні опору комірок. У популярній сьогодні флеш-пам’яті біти зберігаються у вигляді електричних зарядів, що вимагає великого розміру окремої комірки.
Головною проблемою у масовому виробництві RRAM-чіпів була дороговизна технологічного процесу виготовлення, оскільки він вимагає високої температури. Крім того, для перемикання стану самих осередків потрібна висока напруга, вплив якої на матеріал скорочує термін експлуатації чіпів. Ученим університету вдалося вирішити саме ці дві проблеми.
Новинку можна виготовляти на наявному обладнанні, що обіцяє швидке її впровадження в кінцеві продукти. Особливістю нової розробки також є те, що вона потребує менше енергії для роботи та має у 100 разів більший термін служби. А обсяг у терабайт вдалося досягти через те, що такий тип пам’яті може зберігати до 9 біт інформації на одну фізичну комірку. Сучасні моделі флеш-пам’яті можуть зберігати максимум три біти на комірку.
Розробники вже ведуть переговори з власниками фабрик з виготовлення мікросхем і обіцяють, що гаджети з новим типом пам’яті можуть з’явитися найближчими роками.