Подібне стало можливим завдяки використанню нового типу пам’яті Resistive RAM (ReRAM або RRAM). Це енергонезалежна пам’ять, яка зберігає дані за допомогою опору: в нормальному стані він високий, а після подання току в комірку пам’яті значно знижується. Це дозволяє кодувати логічні нулі та одиниці. При цьому швидкість доступу до даних буде на рівні оперативної пам’яті ПК, порівняно з якою flash-пам’ять популярного сьогодні типу NAND дуже повільна.
Crossbar RRAM під мікроскопом
Високі характеристики роботи нового накопичувача пояснюються тим, що для керування 2 тис. комірок пам’яті потрібен лише один транзистор. Це також робить її дешевою у виробництві: розробник, професор Університету Мічігана Ві Лю, каже, що це відкриває шлях до доступних та містких накопичувачів розміром з поштову марку. Окрім цього, нова технологія не має таких обмежень ресурсу запису в комірки, як flash-пам’ять, тому диски з нею будуть довговічнішими.
Зараз розробники ведуть переговори з виробниками пам’яті для запуску серійного виробництва накопичувачів.
