Компанії Kioxia і Western Digital сьогодні оголосили про розробку технології 162-шарової флеш-пам’яті 3D NAND шостого покоління. Її створення названо «черговою віхою в 20-річному партнерство». Флеш-пам’ять шостого покоління відрізняється передовою архітектурою, яка дала змогу на 10% підвищити щільність масиву осередків в горизонтальній площині в порівнянні з технологією п’ятого покоління. У поєднанні з 162 рівнями в вертикальному напрямку це дозволило зменшити площу кристала при тій же інформаційної ємності на 40% в порівнянні з 112-шарової пам’яттю, що призвело до «оптимізації собівартості».
Розробники також застосували розміщення логічної схеми під масивом осередків і роботу з чотирма областями одночасно, ніж в сукупності забезпечили приріст продуктивності при записі майже в 2,4 рази і зменшення затримки читання на 10% в порівнянні з попереднім поколінням. Продуктивність підсистеми введення-виведення поліпшена на 66%.
В цілому, нова технологія флеш-пам’яті знижує вартість в розрахунку на біт і збільшує інформаційну ємність в розрахунку на пластину в порівнянні з попереднім поколінням на 70%. Коли почнеться серійний випуск нової пам’яті, партнери не уточнюють. Джерело