На заході HotChips 33 компанія Samsung розповіла докладніше про модулях пам’яті DDR5-7200 об’ємом 512 ГБ, які були представлені в березні. У цих модулях використовуються восьміслойную мікросхеми DRAM.
У кожній з них упаковано вісім кристалів щільністю 16 Гбіт, з’єднаних між собою із застосуванням технології міжшарових з’єднань (Through-Silicon Vias, TSV). Нова пам’ять перевершує свою попередницю DDR4 по продуктивності, швидкості передачі даних і обсягом. При цьому, працюючи при напрузі живлення всього 1,1 В, вона споживає на 13% менше електроенергії.
Разом з тим, за оцінкою Samsung, масовий ринок перейде від DDR4 до DDR5 не раніше, ніж в 2023 або навіть в 2024 році. Це можна пояснити тим, що перерахованим вище переваг супроводжує більш висока ціна. Не дивно, що першими на DDR5 перейдуть суперкомп’ютери та сервери. Південнокорейський виробник підтвердив намір почати поставки серверних модулів DDR5-7200 об’ємом 512 ГБ в кінці поточного року. Джерело