Samsung Galaxy Note 9 выйдет раньше срока

Журналисты издания Korea Herald узнали, что, вероятнее всего, презентация Samsung Galaxy Note 9 состоится второго или девятого августа 2018 года. Они также сообщили о некоторых технических особенностях новинки.   Samsung Galaxy Note 9 получит аккумулятор емкостью от 3850 до 4000 мАч, что значительно больше, чем 2716 мАч у iPhone X. В качестве дисплея будет установлен 6,3 или 6,4-дюймовый SuperAMOLED экран.Это сделает гаджет самым большим аппаратом в серии. Смартфон будет работать под управлением Snapdragon 845, поддерживать S Pen и сохранит разъем для наушников.

Обычно, презентации моделей Galaxy Note проходят во второй половине августа. Однако в 2018 году Note 9 могут представить на две или три недели раньше. Мероприятие состоится в Нью Йорке.Сами смартфоны поступят в продажу примерно в середине сентября 2018 года. Видимо, расчет сделан на то, что презентации флагманов Apple и Google состоятся несколько позже, и Galaxy Note 9 получит неплохую фору по времени перед выходом на рынок новых iPhone и Pixel. Взято с macdigger.ru

Найден материал-изолятор, являющийся проводником на его гранях

Ученые-физики из университета Цюриха обнаружили материал, относящийся к новому классу топологических изоляторов высшего порядка.

Грани кристаллических твердых тел из этих материалов проводят электрический ток почти без сопротивления, в то время, как остальная часть материала остается изолятором.

Такие уникальные свойства новых материалов могут оказаться очень полезными для создания новых видов электронных устройств и, безусловно, для создания квантовых вычислительных систем.

Топология, наука, являющаяся частью материаловедения, занимается исследованиями свойств твердых частиц и тел, защищенных от деформаций и воздействий различных внешних факторов.

Одним из направлений этой науки являются исследования топологических изоляторов, кристаллических материалов, которые проводят электрический ток только в поверхностном слое.

При этом, за счет некоторых физических эффектов проводящие поверхности не могут быть переведены в изоляционное состояние.

Теоретические расчеты, проведенные физиками, показали, что свойства топологических изоляторов высшего порядка должны быть крайне стабильными.

Другими словами, на электропроводность граней кристаллов не должны влиять примеси и другие нарушения кристаллической решетки.

Кроме этого, грани кристаллов не нуждаются в дополнительной обработке или в каком-нибудь инициировании для получения токопроводящих свойств.

И даже если кристалл вдруг сломается, то электрический ток все равно продолжит течь по нему по вновь образовавшимся граням.

Данные исследования находятся сейчас по большей мере в теоретической области. Но исследователи уже предложили один материал, который может являться топологическим изолятором высшего порядка, теллурид олова.

«В скором времени мы найдем и другие материалы, обладающие подобными свойствами» — рассказывает профессор Титус Неуперт (Titus Neupert).

«Грани этих материалов будут работать как своего рода «шоссе» для электронов, т.е. они могут быть использованы в качестве токопроводящих дорожек электронных цепей.

Более того, топологические изоляторы могут быть объединены с магнитными, полупроводниковыми и сверхпроводящими материалами, что позволит использовать их для создания квантовых компьютеров».

Найден новый способ преобразования тепла в электричество

Тепло, выделяющееся при работе различных механизмов и электронных устройств можно преобразовывать в электричество при помощи нанопроводников, имеющих атомарную толщину.

Высокая эффективность такого преобразования, согласно результатам исследований, проведенных учеными из университетов Уорика, Кембриджа и Бирмингема, превышает эффективность любых других подобных технологий. И это делает новую технологию достаточно жизнеспособным методом получения дополнительной электрической энергии.

Обычно вторичное тепло превращается в электричество при помощи специальных пироэлектрических материалов. Однако, устройства на основе этих материалов имеют не очень высокую эффективность.

«В отличие от обычных объемных пироэлектрических материалов отдельные нанопроводники проводят через себя меньше тепла и больше электричества» — рассказывает доктор Андрей Василенко (Dr Andrij Vasylenko).

«Такие уникальные свойства нанопроводников обуславливают крайне высокую эффективность преобразования».

Нанопроводники, преобразовывающие тепло в электричество, выращиваются путем особой кристаллизации теллурида олова внутри очень тонких углеродных нанотрубок.

Эти нанотрубки выступают в роли шаблонов, не давая кристаллу материала увеличиваться в толщине во время выращивания.

Во время проведения теоретической части данных исследований ученые вывели, что между размерами нанотрубки-шаблона и эффективностью термоэлектрического преобразования одного нанопроводника существует достаточно крутая прямая зависимость.

И все это было подтверждено позже экспериментальным путем при помощи нанотрубок различного диаметра и выращенных внутри них нанопроводников из теллурида олова.

«Все это открывает возможности к изготовлению миниатюрных термоэлектрических генераторов следующего поколения, обладающих высокой эффективностью» — рассказывает доктор Василенко.

Кроме этого, при помощи такого же самого подхода, мы сможем найти и другие варианты термоэлектрических материалов, которые не содержат токсичных и состоят из достаточно распространенных химических элементов, встречающихся в природе в больших количествах».

Анонсирован смартфон Hisense H20 на чипе Snapdragon 636

Китайский бренд Hisense представил свой новый смартфон среднего уровня Hisense H20, который оснастили чипом Qualcomm Snapdragon 636, работающим в связке с 6 ГБ оперативной памяти. Кроме того, новинка получила 5,84-дюймовый дисплей неизвестного разрешения с соотношением сторон 19:9, вырезом в верхней части под динамик, датчики и фронталку, а также минимальными рамками.

На борту аппарата также присутствуют 128 Гб расширяемой встроенной памяти, двойная основная камера с датчиками на 12 Мп + 5 Мп, 20-мегапиксельная селфи-камера (в обоих применяются алгоритмы искусственного интеллекта), сканер отпечатков пальцев на тыльной панели, Li-Ion аккумулятор неизвестной ёмкости, а также ОС Android 8.1 Oreo «из коробки». Сообщается, что на прилавках Hisense H20 появится 26 июня, но ценник пока не называется. Взято с china-review.com.ua

Опубликованы полные спецификации Oppo Find X

Как мы знаем, 19 июня компания Oppo представит на рынке свой новый смартфон Oppo Find X, о котором в последнее время ходит все больше слухов и неподтвержденной информации. Сегодня анонимный источник опубликовал полные спецификации грядущей новинки.

Если версить данному инсайдеру, Oppo Find X оснастят 6,4-дюймовым дисплеем с разрешением 2340 х 1080 точек, топовой платформой Qualcomm Snapdragon 845, 8 Гб оперативки, 128 Гб флеш-памяти, двойной тыльной камерой с датчиками на 20 Мп (f/2.0) и 16 Мп (про пятикратный оптический зум ничего не говорится), 25-мегапиксельной фронталкой, модулями Wi-Fi Bluetooth, NFC, GPS, а также аккумулятором на 3730 мАч с технологией быстрой зарядки.

Размеры аппарата составляют 156,7 х 74,2 х 9,6 мм при весе в 186 граммов. Что интересно, система трехмерного сканирования лиц, которая приписывается новинке, здесь не упоминается. «Из коробки» Oppo Find X будет работать под управлением фирменной прошивки ColorOS 5.1 на основе Android 8.1 Oreo, а на рынке смартфон будет представлен в красной и черной расцветках. Взято с china-review.com.ua

Характеристики Xiaomi Mi Max 3 звучат просто невероятно

Смартфоны из модельного ряда Mi Max от компании Xiaomi всегда были бюджетными, но оснащенными громадными экранами, которые и являются их главной особенностью, выделяющей всю линейку она фоне других.

Тем не менее, новинка Xiaomi Mi Max 3 в корце изменит всю ситуацию, а узнать об этом удалось сегодня от надежного источника в Weibo, который опубликовал полный технические характеристики данного мобильного устройства.

Как удалось выяснить, смартфон Xiaomi Mi Max 3 получит громадный 6,99-дюймовый IPS-экран с разрешением 2160 на 1080 пикселей (Full HD+) и соотношением сторон 18:9, мощный 8-ядерный процессор Qualcomm Snapdragon 710 с тактовой частотой 2,2 ГГц, который сейчас можно встретить в модели Mi 8 SE, а также 4/6 ГБ оперативной и 64/128 ГБ постоянной флеш-памяти.

Для подзарядки будет использоваться разъем USB Type-C. Владельцы нового мобильного устройства смогут рассчитывать на 20 Мп основную камеру, скорее всего, двойную, а также на аккумуляторную батарею емкостью 5500 мАч с поддержкой технологии быстрой зарядки Quick Charge 3.0.

Не обойдется и без привычного 3,5 мм разъема, предназначенного для подключения наушников. За обработку графики в ответе окажется ускоритель Adreno 616.

В добавок ко всему прочему, аппарат окажется оснащен модулями Wi-Fi 802.11ac, Bluetooth 5.0 и A-GPS, а также, скорее всего, стеклянным корпусом. Прямо «из коробки» на Xiaomi Mi Max 3 будет установлена операционная система Android 8.1 Oreo в лице фирменной прошивки MIUI 10, которая сейчас находится в стадии закрытого бета-тестирования.

Официальная презентация данного телефона случится, предположительно, в середине июля, поэтому ждать осталось совсем недолго. Взято с akket.com

Exit mobile version