Close Menu
Український телекомунікаційний портал
    Facebook X (Twitter) Instagram Threads
    Український телекомунікаційний портал
    • Новини
    • Мобільна техніка
    • Технології
    • ПЗ
    • Наука
    • Транспорт
    • Дім
    • Обладнання
    • Здоров’я
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram
    Український телекомунікаційний портал
    Home»Обладнання»Комп'ютерна техніка»Samsung начал производство 64-гигабитной NAND-памяти с 3-битной архитектурой по 20-нм технологии
    Комп'ютерна техніка

    Samsung начал производство 64-гигабитной NAND-памяти с 3-битной архитектурой по 20-нм технологии

    ВолодимирBy Володимир18.10.20104 коментарі2 Mins Read
    Facebook Twitter Email Telegram Copy Link

    Компания Samsung Electronics первой в отрасли начала массовое производство микросхем флеш-памяти NAND с 3-битной архитектурой ячеек емкостью 64 гигабит (Гб).

    Новые микросхемы выпускаются по технологическим нормам 20-нанометрового класса. Эти передовые продукты могут использоваться при производстве устройств на базе флеш-памяти высокой емкости, таких как USB-накопители и карты памяти Secure Digital (SD).

    Микросхемы флеш-памяти NAND с 3-битной архитектурой ячеек емкостью 64 гигабит

    «Samsung регулярно выводит на рынок самые современные решения в области флеш-памяти NAND. В их числе — выпущенные в ноябре прошлого года чипы флеш-памяти NAND емкостью 32 Гб с 3-битной архитектурой ячеек (технология 30-нанометрового класса), — отметил Сейджин Ким, вице-президент по планированию и производству флеш-памяти Samsung Electronics. — Начав полномасштабное производство 64-гигабитных микросхем NAND с 3-битной архитектурой ячеек по технологическим нормам 20-нанометрового класса с поддержкой технологии Toggle DDR, мы ожидаем, что эти продукты будут востребованы поставщиками емких решений на базе памяти NAND».

    Большая емкость новых микросхем (64 гигабит) поспособствует популяризации интерфейса Toggle DDR в высокопроизводительных продуктах, использующих флеш-память – USB-накопителях, картах памяти SD, а также смартфонах и твердотельных накопителях. Ожидается, что эти чипы придут на смену существующим 32-гигабитным микросхемам.

    64-гигабитные микросхемы флеш-памяти Samsung NAND с 3-битовой архитектурой ячеек имеют на 60 % более высокую производительность в сравнении с 32-гигабитными чипами NAND, выполненными по технологии 30-нанометрового класса. Высокую производительность устройству обеспечивает спецификация асинхронного интерфейса Toggle DDR 1.0 (в чипах NAND используется одноканальный интерфейс Single Data Rate, SDR).

    64-гигабитные микросхемы NAND с 3-битной архитектурой ячеек, выполненные по нормам 20-нанометрового класса, являются продолжением линейки 32-гигабитных чипов NAND с многоуровневой архитектурой ячеек, изготовленных по технологии того же класса.

    Expert.com.ua

     

    Читайте також

    Doogee випустила планшети Tab E3 Pro та Tab E3 Max

    29.12.2025

    4 ТБ пам’яті DDR5 від Nemix оцінили як спорткар

    29.12.2025

    Samsung представила інтер’єрні Wi-Fi колонки Music Studio з ШІ

    28.12.2025

    Останні

    Давні китайські джерела натякають, що Віфлеємська зірка була кометою

    29.12.2025

    Гігантські акули панували в океанах задовго до мегалодона

    29.12.2025

    Вчені знайшли давнє обличчя змішаних культур

    29.12.2025

    Вчені знайшли простий спосіб видаляти мікропластик з питної води

    29.12.2025
    Facebook X (Twitter) YouTube Telegram RSS
    • Контакти/Contacts
    © 2025 Portaltele.com.ua. Усі права захищено. Копіювання матеріалів дозволено лише з активним гіперпосиланням на джерело.

    Type above and press Enter to search. Press Esc to cancel.

    Go to mobile version