У новому звіті Nikkei йдеться, що китайський виробник чіпів SMIC розробляє 3-нм техніку виготовлення, незважаючи на ключові труднощі з обладнанням, спричинені санкціями США. Виробнику мікросхем було заборонено отримати доступ до передового обладнання для виробництва мікросхем від американського продавця
Повідомляється, що SMIC розробила свій техпроцес 2-го покоління 7-нм класу, який можна використовувати для виробництва процесорів для смартфонів. У новому звіті зазначено, що SMIC проводить дослідження 5-нм і 3-нм техпроцесів. Дослідження проводяться власними силами команди дослідників і розробників компанії. Команду очолює один із генеральних директорів Лян Монг-Сонг, відомий вчений. лідер команди працював у TSMC і Samsung. Його вважають одним із найяскравіших умів у напівпровідниковій промисловості.
Досить повчальною новиною є те, що режим санкцій США не зміг повністю зупинити прогрес SMC у розробці передових чіпів за 7-нм техпроцесом. Можливо, це серйозно сповільнило компанію, але сукупність факторів працює на її користь у подоланні викликів.
Наразі SMIC є п’ятим за величиною контрактним виробником мікросхем у галузі. Вона втратила доступ до передових інструментів для виготовлення пластин, що суттєво обмежувало її здатність застосовувати нові технології виробництва. В результаті санкцій SMIC не зміг отримати інструменти для літографії з екстремальним ультрафіолетом (EUV) від ASML. Однак він покладався виключно на глибоку ультрафіолетову (DUV) літографію для свого вузла 7-нм класу 2-го покоління.
Літографічні машини ASML Twinscan NXT:2000i є найкращими інструментами, доступними SMIC на цей час. Вони можуть травити виробничу роздільність до 38 нм. Рівень точності достатній для друку 38-нанометрових кроків металу з використанням подвійного шаблону для вузлів класу 7-нанометрів. Згідно з AML і IMEC, кроки металу зменшуються до 30-32 нм при 5 нм і 21-24 нм при 3 нм.
Мультишаблони — ще один варіант для досягнення надмалих розмірів елементів, які можуть не використовувати EUV. Це складний процес, який подовжує тривалість циклу та може вплинути на врожайність, а також зношувати виробниче обладнання. Витрати на використання кількох візерунків також досить високі. SMIC використовує потрійне, четверне або іноді п’ятикратне моделювання для досягнення нижчої роздільної здатності. Розробка процесу виготовлення лише для DUV 3-нм класу є важливою віхою для SMIC. Залишається побачити, як чіп працюватиме в продуктах.