Samsung вдалося максимізувати потенціал своїх рішень пам’яті LPDDR5X. Наприкінці минулого року компанія оголосила, що починає виробництво рішення DRAM наступного покоління LPDDR (low power double data rate), яке буде здатне працювати на швидкості 8,5 Гбіт/с. Сьогодні південнокорейський гігант оголосив, що разом із Qualcomm завершив перевірку 8,5 Гбіт/с LPDDR5X.
Отже, ми повинні почати бачити такі рішення пам’яті в парі з чіпами Snapdragon, як тільки процес вибірки почне нарощуватися. Для тих, хто не знає, на початку року Qualcomm протестувала та сертифікувала використання LPDDR5X від Samsung на своїх SoC.
Коментуючи це оголошення, Деніел Лі, виконавчий віце-президент групи планування продуктів пам’яті Samsung Electronics, сказав:
Спільна перевірка 8,5 Гбіт/с LPDDR5X DRAM дозволила нам прискорити доступність цього високошвидкісного інтерфейсу пам’яті на всьому ринку більш ніж на рік, що є величезним досягненням, яке стало можливим завдяки нашій давній співпраці з Qualcomm Technologies.
З точки зору порівняння нової пам’яті з попередніми ітераціями, DRAM Samsung 8,5 Гбіт/с приблизно на 13,33% швидше, ніж попередні чіпи 7,5 Гбіт/с. І порівняно з LPDDR5 non-X, він випереджає майже на 33%. Між тим, очікується, що ємність збільшиться до 64 ГБ, хоча вона, швидше за все, буде використовуватися в центрах обробки даних, а не в споживчих телефонах.