Компанія Samsung готується до виведення ринку модулів пам’яті DDR6. Джерела повідомляють, що південнокорейський технологічний гігант планує запровадити модифіковану технологію упакування Semi-Additive Process (mSAP) для виробництва чіпів DDR6.
За словами віце-президента Samsung Янгвана Ко, технологія упаковування повинна розвиватися разом із модулями пам’яті, оскільки вони стають дедалі потужнішими. Застосування процесу mSAP до мікросхем пам’яті DDR6 дозволить Samsung створювати сучасніші мікросхеми. Він уточнив, що конкуренти Samsung вже використовували процес mSAP для пам’яті DDR5, і Samsung, як повідомляється, працює над використанням цієї технології упаковування для DDR6.
Нагадаємо, південнокорейський технологічний гігант минулого тижня представив свої перші чіпи пам’яті GDDR6 зі швидкістю обробки 24 Гбіт/с, тобто із частотою 24 ГГц. При цьому компанія продовжує працювати над DDR6 (не плутати із GDDR6). Згідно з наявними даними, розробка DDR6 може бути завершена до 2024 року.
Очікується, що DDR6 буде вдвічі швидше і матиме вдвічі більше каналів пам’яті, ніж DDR5. DDR6 зможе досягати швидкості передачі близько 12800 Мбіт/с на модулях JEDEC або 17000 Мбіт/с при розгоні. Раніше минулого року Samsung анонсувала першу у світі пам’ять DDR5-7200 місткістю 512 ГБ, продуктивність якої на 40% вища, ніж у рішень DDR4. Джерело