Компанія Toshiba повідомила початок масового виробництва інжекційного транзистора зі збагаченим затвором (IEGT) в обтискному корпусі діаметром 168 мм. Новинка, що отримала назву ST2000GXH32, характеризується номінальною напругою колектор-емітер 4500 В та номінальним струмом колектора 2000 А. У структуру транзистора включено недавно розроблений високошвидкісний діод для перетворювачів високої напруги.
Як стверджується, структура катода цього діода така, що пригнічує коливання напруги під час зворотного відновлення, покращуючи стійкість до зворотного відновлення. Крім того, вона дозволяє зберігати працездатність за високої температури.
У порівнянні з раніше випущеним транзистором Toshiba ST2000GXH31, можна використовувати невеликий резистор у ланцюзі управління затвором, що зменшує втрати перемикання приблизно на 30% (з 12,0 до 8,4 Дж). Крім того, покращений катод збільшує пікову потужність під час зворотного відновлення приблизно на 29%, а допустима температура переходу збільшена зі 125 до 150 °C. Області застосування ST2000GXH32 – високовольтне промислове обладнання, включаючи інвертори та перетворювачі для електродвигунів. Важить транзистор 2,7 кг. Джерело