Компанія TSMC у співпраці з Національним Тайваньским університетом (NTU) і Массачусетським технологічним інститутом (MIT) зробили значний прорив в розробці 1-нанометровій технології виробництва мікросхем.
Дослідники виявили, що використання напівметалу вісмуту (Bi) у якості контактних електродів для двомірних елементів дозволяє значно зменшити опір і збільшити струм. Це відкриття було зроблено командою Массачусетського технологічного інституту, а потім було доопрацьовано TSMC і NUT. Передбачається, що воно дозволить підвищити енергетичну ефективність і продуктивність майбутніх процесорів.
Техпроцес, заснований на нормах 1 нм, може бути розроблений протягом декількох років, а поки TSMC планує в другому півріччі 2022 року розпочати виробництво за нормами 3 нм. Джерело