Как и другие производители флеш-памяти компания SK Hynix не могла пропустить мероприятие Flash Memory Summit 2018. На годовом саммите SK Hynix представила ни много ни мало, а целую «4D NAND». Где же южнокорейский производитель нашёл четвёртое измерение?
Увы, детальное изучение новой в кавычках разработки SK Hynix указывает на маркетинговую уловку — представленная технология не может и не будет иметь решающих преимуществ по сравнению с уже представленными и даже годами реализованными технологиями производства 3D NAND компаниями Samsung, Intel, Micron и Toshiba. Но, обо всём по порядку.
Память «4D NAND» компании SK Hynix будет сочетать две ключевые особенности. Во-первых, она будет опираться на ячейку с ловушкой заряда (Charge Trap Flash, CTF). Во-вторых, управляющие массивом NAND-ячеек периферийные цепи будут перенесены с одной с массивом плоскости кристалла под ячейки — как бы в «подвал». Отметим, SK Hynix всегда выпускала 3D NAND с ячейкой с ловушкой заряда, как и все остальные компании за исключением Micron и Intel. Но даже Micron со следующего поколения 3D NAND откажется от ячейки с плавающим затвором FG в пользу CTF. В 2019 году 3D NAND с ячейкой FG будет выпускать только Intel. Иначе говоря, 4D NAND в этом плане новшеством давно не является.
По поводу технологии Periphery Under Cell (PUC), которая в представлении SK Hynix и является тем самым «четвёртым измерением», можно сказать следующее. Компании Intel и Micron давно перенесли периферийные цепи под массив ячеек и называют эту технологию CMOS under the array (CuA). Со следующего года технологию CuA при производстве памяти 3D NAND начнёт применять Samsung. Дальнейшим развитием CuA представляется китайская технология Xtacking компании YMTC. Китайцы и вовсе предлагают выпускать периферию и логику на отдельных пластинах, изготовленных по разным техпроцессам, и потом состыковывать логику и массив NAND. Вот где четвёртое измерение! Но SK Hynix решила отобрать славу первооткрывателя себе.
Что же, пусть 4D NAND оказалась маркетинговой пустышкой, компания SK Hynix рассказала на саммите кое-что по-настоящему интересное, а именно, поделилась планами выпуска новинок на рынок. Итак, образцы 96-слойной 3D NAND TLC ёмкостью 512 Гбит (с этого момента — 4D NAND) появятся в четвёртом квартале 2018 года. Образцы 96-слойной 4D NAND TLC ёмкостью 1 Тбит выйдут в первой половине 2019 года.
Образцы 96-слойной 4D NAND QLC ёмкостью 1 Тбит появятся во второй половине 2019 года. Тем самым можно резюмировать, что по выпуску передовой памяти 3D NAND от своих основных конкурентов SK Hynix будет отставать на срок до одного года и даже больше. Да, в таких случаях остаётся полагаться только на маркетинг.