Це на 30% швидше, ніж що існує DRAM (18 Гбіт/с) з максимальною швидкістю 24 Гбіт/с. Очікується, що попит на високопродуктивні GDDR6 різко зросте через підвищення графічної продуктивності ПК, ноутбуків та ігрових консолей і зростання ринків високопродуктивних обчислень (HPC), електромобілів і автономних транспортних засобів.

GDDR6 використовував процес High-k Metal Gate (HKMG) для зменшення енергоспоживання. Він забезпечує оптимальне рішення для застосувань, де енергоефективність має вирішальне значення завдяки мінімізації струму витоку.

Samsung Electronics також застосувала динамічне масштабування напруги низької потужності (DVS) для GDDR6. DVS — це технологія, яка контролює енергоспоживання шляхом динамічної зміни робочої напруги DRAM. Він підтримує робочу напругу до 1,1 В, що нижче, ніж попередні 1,35 В. Якщо цю технологію застосувати до ноутбука, час роботи акумулятора значно збільшується.

Samsung Electronics розробила GDDR6 відповідно до стандарту JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council), щоб підвищити надійність своєї продукції. Очікується, що клієнти зможуть легко застосувати GDDR6 у своїх програмах.

Донг-кі Лі, віцепрезидент групи планування продуктів підрозділу пам’яті Samsung Electronics, сказав: «GDDR6 буде встановлено та перевірено в системі наступного покоління наших основних клієнтів, починаючи з цього місяця». Samsung Electronics планує лідирувати у зростанні ринку DRAM за допомогою диференційованих рішень на ринку GDDR6 із двозначним зростанням щороку. Джерело

Мікросхеми Samsung, що описуються, можуть використовуватися як Nvidia, так і AMD, якщо їх графічні процесори підтримують зазначену вище швидкість передачі даних. Каталожний індекс мікросхем – K4ZAF325BC-SC24. Щільність 16 Гбіт означає, що 8 мікросхем достатньо, щоб отримати 16 ГБ пам’яті, що підключена до шини шириною 256 біт. Якщо взяти 12 мікросхем, можна отримати 24 ГБ на 384-бітній шині.

При швидкості 24 Гбіт/с ці мікросхеми забезпечують на 50% більшу пропускну здатність, ніж мікросхеми, що працюють зі швидкістю 16 Гбіт/с, і на 71% більше, ніж мікросхеми, що працюють зі швидкістю 14 Гбіт/с. Гіпотетичне 6-нанометрове оновлення GPU Navi 21 у парі з цими мікросхемами характеризуватиметься пропускною здатністю пам’яті 768 ГБ/с понад пропускну здатність Infinity Cache у порівнянні з нинішніми 512 ГБ/с у поточної Radeon RX 6800 XT. Джерело передбачає, що зразки мікросхем вже є в AMD та Nvidia. Поки невідомо, коли почнеться серійне виробництво, але це безперечно може статися у 2022 році.