Нова пам’ять SK hynix забезпечує швидкість передачі даних в 4800-5600 Мбіт/с на контакт, що в 1,8 рази перевищує базові показники пам’яті DDR4. При цьому напруга живлення зменшено з 1,2 до 1,1 В, що підвищує енергетичну ефективність. Реалізована підтримка корекції помилок ECC – Error Correcting Code. Стверджується, що в порівнянні з пам’яттю попереднього покоління надійність роботи додатків зросте в 20 разів.

Нарешті, йдеться, що ємність модулів оперативної пам’яті SK hynix DDR5 DRAM може досягати 256 Гбайт при використанні технології виробництва Through-Silicon-Via (TSV). Спочатку DDR5 DRAM буде проникати в серверний сегмент. SK hynix зазначає, що пам’ять нового покоління дозволить суттєво скоротити енергоспоживання і вартість володіння дата-центрів при одночасному збільшенні надійності і продуктивності.