Стандарт Universal Flash Storage обновили до версии UFS 3.1

4 комментария

Совершенствуются не только производство и микросхемы флеш-памяти. Интерфейсы также претерпевают изменения. Около 10 лет назад на смену параллельному интерфейсу eMMC вышел последовательный интерфейс UFS. Последняя версия UFS 3.0 одобрена два года назад. Сегодня она получила важные расширения. Комитет JEDEC сообщил, что выпущен новый стандарт для интерфейса UFS и дополнение к нему. В частности, версия стандарта подросла до индекса 3.1. Версия 3.0 была принята 31 января 2018 года. За прошедшие с тех пор два года рабочая группа комитета разработала, согласовала и выпустила чистовую редакцию в виде основного стандарта JESD220E и дополнительного JESD220-3.

Интерфейс UFS или Universal Flash Storage проник в флагманские смартфоны и в смартфоны среднего класса. Микросхемы флеш-памяти с интерфейсом UFS 3.0 компании начали выпускать и использовать в течение 2019 года. Шина UFS показывает себя с лучшей стороны в мобильных устройствах за счёт высокой производительности со скоростью передачи данных до 2,9 Гбайт/с всего по двум линиям. Эффективность и простота обеспечили памяти с шиной UFS путь в автомобильную электронику, которая начала стремительно нуждаться в ёмкой памяти.

Новая версия UFS 3.1 не принесла роста скорости обмена. Вместо этого она добавила три новых важных функции. Во-первых, предложена архитектура с энергонезависимым кеш-буфером из памяти NAND SLC (Write Booster). Несомненно, что это приведёт к росту скорости записи. Тем самым однокорпусные накопители с шиной UFS стали полностью похожи на SSD. На монтажной плате смартфонов теперь будет располагаться полноценный флеш-диск.

Во-вторых, устройства с UFS получат новое состояние DeepSleep для наименее дорогих платформ. Иначе говоря, для простых схематических решений, когда накопитель UFS использует регулятор напряжения совместно с другими элементами платформы, теперь будет доступен режим перехода в сон. Третьей новой функцией стала возможность UFS-накопителя информировать хост о снижении производительности при перегреве. Очевидно, что это будет нужно для автомобильной электроники, от работы которой зависит безопасность, поэтому она должна быть безукоризненной.


Что касается дополнительного стандарта JESD220-3, то он предоставляет опциональную возможность кешировать карту логических и физических адресов устройства UFS в системной памяти DRAM (Host Performance Booster или HPB). В случае значительных объёмов системной памяти эта опция позволит ускорить работу с массивом памяти с интерфейсом UFS. Можно ожидать, что карты памяти и массивы памяти с поддержкой спецификаций UFS 3.1 появятся в текущем году ближе к его концу.

Мониторы AOC 22B2H, 24B2XH и 27B2H получили безрамочное исполнение

1 комментарий

Компания AOC анонсировала сразу три новинки — мониторы 22B2H, 24B2XH и 27B2H, рассчитанные на повседневную работу в офисе или в домашних условиях. Модель 22B2H оборудована VA-матрицей размером 21,5 дюйма по диагонали. Время отклика равно 6,5 мс. Обеспечивается яркость в 200 кд/м2 и динамическая контрастность до 200 000 000:1. Панели 24B2XH и 27B2H построены на матрице IPS размером соответственно 23,8 и 27 дюймов по диагонали. Время отклика — 14 мс и 8 мс. Яркость составляет 250 кд/м2, контрастность 1000:1, динамическая контрастность — 20 000 000:1.

Все новинки обладают разрешением 1920 × 1080 пикселей, что соответствует формату Full HD. Частота обновления — 75 Гц. Углы обзора по горизонтали и вертикали достигают 178 градусов. Мониторы могут похвастаться безрамочным дизайном, благодаря чему хорошо подходят для применения в многодисплейных конфигурациях.


Для подключения источников сигнала предусмотрены цифровой интерфейс HDMI 1.4 и аналоговый разъём D-Sub. Подставка позволяет регулировать только угол наклона дисплея. На защите глаз пользователя стоят технологии LowBlue и FlickerFree. Первая способствует снижению интенсивности синего цвета подсветки. Вторая система избавляет от мерцания.

Samsung Galaxy A41 показался в бенчмарке с чипом MediaTek Helio

1 комментарий

В базе данных популярного бенчмарка Geekbench появилась информация о характеристиках смартфона среднего уровня Galaxy A41, который готовит к выпуску южнокорейская компания Samsung. Аппарат имеет кодовое обозначение SM-A415F. Тест указывает на использование процессора MediaTek Helio P65. Он объединяет два ядра ARM Cortex-A75 с тактовой частотой до 2,0 ГГц и шесть ядер ARM Cortex-A55 с тактовой частотой до 1,7 ГГц. В состав чипа входит графический ускоритель ARM Mali G52.

В результатах Geekbench базовая частота процессора в смартфоне Galaxy A41 составляет 1,7 ГГц. Говорится о наличии 4 Гбайт оперативной памяти. Вероятно, выйдет также версия аппарата с 6 Гбайт ОЗУ. Новинка функционирует под управлением операционной системы Android 10 с фирменной надстройкой One UI 2.0.

Если верить имеющейся информации, смартфон получит многомодульную тыльную камеру, включающую в том числе датчики на 48 млн и 2 млн пикселей. Разрешение фронтальной камеры, предположительно, составит 25 млн пикселей.


Базовая версия Galaxy A41 будет нести на борту флеш-накопитель вместимостью 64 Гбайт. Сведений о характеристиках дисплея на данный момент, к сожалению, нет.

Apple представила обновление Apple Maps

4 комментария

Несмотря на то что несколько лет с момента своего запуска Apple Maps оставались не просто посредственным, а даже опасным сервисом, который запросто мог завести людей не туда, куда им было нужно, Apple не отказалась от него. Вместо этого компания собрала всю свою волю в кулак и решила переделать карты с нуля, запустив десятки и сотни автомобилей с панорамными камерами, которые ездили по дорогам США и формировали правильные маршруты. Задача эта оказалась довольно сложной, и поэтому анонсированный в 2018 году перезапуск Apple Maps затянулся больше чем на год. Но теперь всё точно готово. Ну, почти.


В ночь с 30 на 31 января Apple официально объявила о завершении развёртывания обновлённых Apple Maps для жителей США. Компания проделала большую работу по совершенствованию своих карт, повысив не только точность городских маршрутов, но и районов, где инфраструктура отсутствует в принципе. Теперь Apple Maps, охватывающие территорию Штатов, не только не уступают разработке Google, но в некоторых аспектах даже превосходят их. Во всяком случае, кое-где уровень детализации Apple Maps оказывается даже более высоким, чем у Google Maps.

Обновление Apple Maps

Какими Apple Maps были раньше и какие они стали теперь

«Мы намереваемся создать самое лучшее и самое безопасное картографическое приложение на планете, которое бы отражало то, как люди изучают мир сегодня. Мы вложили в этот проект огромные средства и нам фактически пришлось проектировать Apple Maps с нуля, чтобы переосмыслить карты и сделать их по-настоящему полезными в самых разных сценариях использования – от прокладывания маршрута до работы или учёбы до планирования отпуска или важной командировки – с обязательным упором на конфиденциальность. Мы с нетерпением ждём возможности представить обновлённые карты для всего остального мира», — заявил Эдди Кью, вице-президент Apple по разработке ПО.

Большое значение имеют слова Кью о предстоящем распространении обновлённых Apple Maps за пределы США. Оказывается, Apple планирует начать постепенно охватывать ещё и Европу. Развёртывание новых карт в Старом Свете начнётся в конце 2020 года и, очевидно, продлится никак не меньше года, учитывая обилие информации, которую предстоит собрать Apple. Для этого компания, как и прежде, выведет на улицы европейских городов свои автомобили с панорамными камерами, а по пешеходным маршрутам будут ходить люди с аналогичными системами фиксации, спрятанными в рюкзаках.

Как Apple Maps защищают вас

Apple продолжает повышать защиту Apple Maps и не только не использует авторизацию в своих картах, но даже не пытается связывать конкретного пользователя с его учётной записью Apple ID. Более того, все маршруты, которые прокладываются через Apple Maps, анонимизируются и дробятся на несколько разных фрагментов, которые обрабатываются на разных серверах. Поэтому даже если кто-то из сотрудников компании попытается отследить чей-то маршрут, этого нельзя будет сделать физически. Источник

Western Digital завершила разработку 112-слойной 3D NAND

5 комментариев

Производители памяти 3D NAND продолжают рваться вверх, выпуская чипы с постоянно растущим числом слоёв. Это позволяет экономить место на кристалле, не жертвуя ёмкостью микросхем. Первыми рубеж в 100 слоёв покорили Samsung и SK Hynix, а сегодня их догнала Western Digital.

Компания Western Digital сообщила, что она совместно со своим партнёром японской компанией Kioxia (ранее Toshiba Memory) завершили разработку 112-слойной памяти 3D NAND, которая в определении партнёров относится к пятому поколению памяти BiCS (BiCS5). Также компании приступили к опытному производству микросхем нового поколения в виде 512-Гбит чипов с записью трёх бит в каждую ячейку или TLC.


К сожалению, массовое производство микросхем памяти BiCS5 компании начнут только во второй половине текущего года, что превращает Western Digital и Kioxia в догоняющих. Так, компания Samsung начала выпуск 100(+)-слойных микросхем 3D NAND объёмом 256 Гбит летом прошлого года, а компания SK Hynix начала поставки образцов 128-слойной памяти TLC объёмом 1 Тбит в ноябре. Компания Western Digital также собирается выпускать в поколении BiCS5 1,33-Тбит микросхемы, но это произойдёт очень нескоро.

Интересно, что ранее в этой тройке аутсайдером была SK Hynix. Теперь на её место опустились Western Digital и Kioxia. Поскольку Western Digital является ведомой в партнёрстве с японцами, можно предположить, что у Kioxia что-то пошло не так.

Есть ещё один интересный момент, на который пока нет ответа. Разработчик не уточняет, каким образом он создаёт 112 слоёв в чипах BiCS5. Компания Samsung, напомним, 100(+) слоёв в кристалле будущей 3D NAND создаёт в одном производственном цикле. Компания SK Hynix, исходя из того, что ей удалось вырваться вперёд, 128-слойную память может собирать из двух 64-слойных (или 72-слойных, если брать с запасом на брак) микросхем. Поэтому Western Digital либо создаёт 112-слоёв сразу, как Samsung, что объясняет её задержку, либо спаивает новый чип из двух 64-слойных кристаллов 3D NAND с потерей пограничных слоёв.

Принцип сборки многослойной 3D NAND из двух кристаллов 3D NAND с меньшим числом слоёв
Принцип сборки многослойной 3D NAND из двух кристаллов 3D NAND с меньшим числом слоёв

В любом случае, Western Digital и Kioxia в лице 112-слойных микросхем начнут выпускать плотную 512-Гбит память на меньшем участке кремниевой пластины, что снизит себестоимость производства (с каждой пластины будет выходить на 40 % больше ёмкости). Дополнительно компания обещает рост скорости ввода/вывода на 50 %. Память с записью четырёх бит в ячейку также выйдет в 112-слойном исполнении, но какой будет её ёмкость, компания пока не сообщает. В заключение добавим, что компании Intel и Micron преодолеют рубеж в 100 слоёв 3D NAND тоже в этом году. При этом каждая из них обещает 144-слойные микросхемы, что наводит на мысль о спайках кристаллов, а не о непрерывном цикле производства.

Дуров вновь обрушился с критикой на WhatsApp

4 комментария

Основатель мессенджера Telegram Павел Дуров вновь выступил с критикой в адрес мессенджера WhatsApp, намекнув, что мессенджер не зря пользуется особой популярность у силовиков и властей.

Дуров напомнил, что уже упоминал об уязвимости мессенджера, позволяющей получить доступ к любым данным на телефоне. Жертвой атаки с использованием уязвимости даже стал основатель Amazon Джефф Безос, а ООН рекомендует бизнесменам и политикам отказаться от использования мессенджера.


При этом Facebook (материнская компания WhatsApp) заверила, что доказательств использования уязвимости злоумышленниками нет.