Видання Popular Mechanics назвало американський перспективний стратегічний бомбардувальник B-21 Raider «вбивцею» російських систем протиповітряної оборони С-400 «Тріумф», а також китайських винищувачів п’ятого покоління J-20.
Експерти розповіли, що новий B-21 Raider зможе проникати вглиб території противника і при цьому залишатися непоміченим для радарів. Також фахівці відзначили, що новий літак зовні нагадує зменшений B-2 Spirit.
Раніше повідомлялося, що Військово-повітряні сили (ВПС) США мають намір отримати не менше 100 літаків B-21 Raider. Їх загальна вартість складе $80 млрд. Нові літаки повинні будуть замінити B-1B Lancer і B-2 Spirit.
Нещодавно США випадково розкрили характеристики стратегічного бомбардувальника. Стало відомо, що фюзеляж B-21 в довжину складе приблизно 15 метрів, а розмах його крила досягне 42 метрів.
Компанія Asus представила серію геймерських смартфонів ROG Phone 5. Про це повідомляє видання The Verge з посиланням на матеріали компанії.
Пристрої отримали 6,78-дюймовий AMOLED-дисплей з роздільною зданістю 2448х1080 пікселів. Також апарати мають підтримку HDR10+ і працюють на максимальній частоті 144 герц. Екран закритий захисним склом Corning Gorilla Glass Victus. Гаджети базуються на флагманському процесорі Snapdragon 888. На задній панелі телефонів знаходиться потрійна камера з об’єктивами 64, 13 і 5 мегапікселів. Смартфони мають подвійний акумулятор ємністю 6000 міліампер-годин з швидкою зарядкою на 65 ват.
Базова модель — ROG Phone 5 — отримала мінімум вісім гігабайт оперативної і 128 гігабайт вбудованої пам’яті. ROG Phone 5 Pro відрізняється від початкової версії наявністю 16 гігабайт оперативної і 512 гігабайт вбудованої пам’яті. Топовий апарат — ROG Phone 5 Pro Ultimate — вважається найпотужнішим смартфоном в світі: модель має 18 гігабайт оперативної і 512 гігабайт вбудованої пам’яті. Флагман Asus не є єдиним телефоном на ринку з 18 гігабайтами оперативної пам’яті. На початку березня під геймерським брендом RedMagic від ZTE вийшли апарати RedMagic 6 і 6 Pro, мають 18 і 512 гігабайт пам’яті.
Просунуті моделі Asus відрізняються від базової наявністю додаткового програмованого PMOLED-екрану на задній панелі. ROG Phone 5 Pro отримав кольоровий сенсорний екран, ROG Phone 5 Pro Ultimate — монохромний.
Геймерські девайси вийшли з підтримкою роботи в мережах п’ятого покоління, вбудованим в екран дактилоскопічний сенсором, NFC, роз’ємом для навушників. При бажанні користувач може придбати зовнішній вентилятор AeroActive Cooler 5, призначений для активного охолодження телефону під час ігор.
Мінімальна вартість апарату серії ROG Phone 5 складає 800 євро. ROG Phone 5 Pro обійдеться в 1200 євро, ROG Phone 5 Pro Ultimate — 1300 євро. Смартфони надійдуть у продаж в травні.
Новий флагманський смартфон Xiaomi буде складатися з двох частин. Про це повідомляє видання TechRadar з посиланням на китайських інсайдерів.
Джерела розповіли, що пристрій буде зібрано з двох половинок, з’єднаних шарніром. Основний дисплей буде розташований у внутрішній частині девайса, додатковий — зовні. Журналісти порівняли майбутній девайс з Samsung Galaxy Z Fold 2 і Huawei Mate X2, які мають аналогічну конструкцію.
Згідно розкритим даними, основна панель гаджета матиме діагональ 8,03 дюйма в відкритому стані, додаткова — 6,38 дюйма. Таким чином, апарат Xiaomi буде перевершувати за габаритами флагманський девайс Samsung. Наприклад, Galaxy Z Fold 2 має 7,6-дюймовий основний і 6,23-дюймовий додатковий дисплеї. Автори підсумували, що дизайн обох девайсів буде практично ідентичний.
Судячи з усього, модель отримає назву Xiaomi Mi Mix 4 Pro Max. Журналісти уточнили, що новий пристрій буде продовжувати лінійку концептуальних смартфонів Mi Mix. Наприклад, оригінальний Xiaomi Mi Mix, випущений в 2016 році, одним з перших на ринку отримав практично безрамковий дисплей.
Згідно з ранніми чутками, гнучкий екран для апарату поставить Samsung Display. Також є припущення, що смартфон вийде в декількох версіях, одна з яких отримає постфікси Lite в назві і буде орієнтована на широке коло споживачів. Терміни анонса флагманського гаджета не розкриваються.
Компанія ZTE повідомила минулого тижня про швидкий анонс нової серії смартфонів S Series під управлінням операційної системи Android. Буква «S» означає «сяйво», і нова серія орієнтована насамперед на молодих користувачів. Продовжуючи ділитися інформацією про нову серію, ZTE розповіла, що її першим представником стане смартфон ZTE S30 Pro. Компанія опублікувала тизер, в якому повідомляється про деякі характеристики новинки.
Зокрема, завдяки тизер тепер відомо, що ZTE S30 Pro буде оснащений OLED-дисплеєм з підтримкою частоти відновлення 144 Гц, а також селф-камерою з роздільною здатністю 44 Мп. Раніше на цьому тижні компанія опублікувала постер, який підтверджує, що у нового смартфона буде тильна камера з чотирма сенсорами, дозвіл основного одно 64 Мп. Також камера обладнана спалахом.
Додамо, що на китайських платформах сертифікації 3C і TENAA з’явилася інформація про двох смартфонах ZTE з номерами моделей 9030N і 8030N. Модель ZTE 9030N оснащена акумулятором ємністю 3890 мА·год, четверний тильній камерою з основним 64-Мп сенсором, боковим сканером відбитків пальців. Пристрій працює під управлінням ОС Android 11 і має розміри 164,8×76,4×7,9 мм.
Друга модель ZTE 8030N оснащена батареєю ємністю 5860 мА·год з підтримкою 18-Вт зарядки, 48-Мп потрійний камерою і бічним сканером відбитків пальців. Пристрій має розміри 165,8×77×9,6 мм і теж базується на платформі Android 11. Джерело
Вчора Oppo представила флагманський смартфон Find X3, особливістю якого є 3-мегапіксельна камера-мікроскоп з 60-кратним збільшенням. Сьогодні на цю новину відреагував директор по новим продуктам Xiaomi Ван Тенг Томас (Wang Teng Thomas). За його словами, модель з аналогічною камерою з’явиться в асортименті Redmi.
Мононатрієва сіль глутамінової кислоти, яку було знято камерою нового смартфона Redmi
Що це буде за смартфон — незрозуміло, але мова явно йде про топовом пристрої. На доказ того, що така камера існує, топ-менеджер опублікував перший знімок, зроблений з її допомогою. На фото — кристали глутамату натрію, ймовірно, найвідомішою харчової добавки (вона ж E621).
Взагалі, окрема камера для зйомки макро не новина для Redmi. Так, Redmi K30 Pro оснащений 5-мегапіксельним датчиком Samsung S5K5E9 і телеоб’єктивом з фокусною відстанню 50 мм і мінімальною дистанцією фокусування 3 см. Ця камера здатна робити якісні знімки в режимі макро, але в Oppo пішли далі. І ось новий Redmi повинен виявитися приблизно на рівні Find X3, якщо говорити про зйомку макро. Джерело
Компанія Samsung повідомила про створення досвідченого 256-Мбіт масиву пам’яті SRAM з використанням 3-нм техпроцесу і досконалого нових транзисторів MBCFET. Зразок дозволив підтвердити характеристики майбутнього техпроцесу. Тим самим Samsung від теорії зробила крок до практики і можна розраховувати, що 3-нм виробництво напівпровідників вона запустить вже в наступному році.
Слід сказати, що абревіатура MBCFET (multi-bridge channel FET) в назві нового типу транзисторів — це зареєстрована торгова марка Samsung. У широкому сенсі це так звані транзистори GAAFET з кільцевих або всеохоплюючим затвором, коли канал або кілька каналів транзистора оточені затвором з усіх чотирьох сторін.
Ця концепція була представлена ще в 1988 році і добре вивчена теоретично, але привід перейти на цю структуру з’явився лише зараз, оскільки стали класичними FinFET-транзистори з вертикальними ребрами-плавниками перестають нормально працювати з технологічними нормами менше 5 нм. У разі подальшого нарощування продуктивності і зниження споживання з одночасним зменшенням фізичних розмірів транзисторів (в процесі зниження технологічних норм) керувати транзисторними каналами стає складніше. Тому збільшення площі контакту між затвором і каналом за рахунок повного охоплення каналу є простим виходом з ситуації, який, що дуже важливо, дозволяє випускати нові транзистори на колишньому обладнанні.
Додамо, важливим нововведенням при виробництві чіпів на транзисторах MBCFET (GAAFET) стане можливість задавати ширину каналів-наностраніц, а також їх число в складі кожного транзистора, для кожного окремого випадку. Наприклад, для більш продуктивної логіки ширину наностраніц можна збільшити, а для блоків з низьким споживанням зменшити.
Більш того, з’являється можливість настільки гнучкого проектування, що навіть в окремо взятій шестітранзісторной елементарній комірці SRAM частина транзисторів можна створити з широкими наностраніцамі-каналами, а частина з вузькими. Саме це Samsung продемонструвала при створенні досвідченого 256-Мбіт 3-нм масиву SRAM. Вимірювання показали, що перехід на осередок зі змішаними транзисторами на рівному місці знизив напругу записи на 256 мВ.
Нарешті, компанія підтвердила здатність добитися нових рівнів продуктивності і ефективності. Так, у порівнянні з 7-нм техпроцесом 7LPP швидкість роботи 3-нм MBCFET транзисторів зросла до 30% (при однаковому рівні споживання та складності), а при роботі на однакових частотах і тієї ж складності споживання знизилося до 50%. Зростання щільності транзисторів в змішаною схемою (SRAM плюс логіка) склав до 80%. Джерело
