Запропоновано гнучка «флеш» пам’ять зі зниженим в 100 разів споживанням

Переносна електроніка пробирається в маси, поки ще у вигляді браслетів та брелков, але вже з прицілом на вбудовані варіанти. Щоб сховати електроніку в тканину одягу або у вигляді пластиру наліпити на шкіру, необхідні надзвичайно гнучкі підкладки та відповідні технології виробництва схем. Гнучкі процесори вже випускають. Дійшов черга до гнучкої пам’яті. І який! Група вчених зі Стенфордського університету представила технологію виготовлення пам’яті на гнучкій полімерній основі на принципі оборотні зміни фазового стану речовини (PRAM, Phase-change Random Access Memory). Можна сказати, що з пам’яттю PRAM стикалося безліч живуть зараз людей. На цьому ефекті працюють перезапису оптичні диски CD, DVD і Blu-ray. Під нагріванням лазера записується шар дисків переходить з кристалічного стану в аморфний і навпаки, відображаючи зчитує лазер в кожному випадку по-різному.

У мікросхемах пам’яті PRAM працює така ж схема — пропускаючи через осередок сильний струм, ми плавимо структуру, а потім, регулюючи час охолодження, отримуємо або кристалічний стан, або аморфне (і навіть кілька проміжних, що дає можливість записати в кожну клітинку більше одного біта даних). Зчитування даних відбувається малими струмами — упорядкований кристал покаже низький опір, а хаотичне аморфне — висока. У тому чи іншому вигляді пам’ять PRAM вже випускається. Найбільшого розмаху досягло виробництво PRAM силами компанії Intel. Її пам’ять 3D XPoint — це не що інше, як масиви осередків PRAM.

Вчені зі Стенфорда змогли не тільки зробити таку пам’ять гнучкою, але також виявили можливість кратно знизити її енергоспоживання, що, до речі, може взяти на озброєння Intel. Дослідники виготовили пам’ять PRAM на гнучкій полімерній основі з додатковим ізолятором у вигляді оксиду алюмінію. Як клітина бере участь перехід від змінних шарів телуриду олова і з’єднання телуриду олова і галію. З’ясувалося, що полімер в поєднанні з оксидом алюмінію виявився настільки хорошим теплоізолятором, що споживання PRAM в режимі стирання, коли масив осередку плавиться, знижується в 100 раз!

Тепло банально зберігається всередині осередку і для повторного плавлення потрібні вже набагато менші струми. Також вчені підтвердили, що така пам’ять на гнучкій підкладці витримує багаторазові вигини з радіусом 8 мм, що перевірено на 200 вигинах. Число зчитувань (НЕ записи) досягло 1000 разів, що підтверджує енергонезалежні властивості осередку. Швидкісні та інші характеристики зразка також підтвердили здатність працювати з заданими параметрами. Технологія представляється багатообіцяльний, особливо у світлі поширення обчислень в пам’яті. Для нейропроектів краще не придумаєш. Джерело