Флеш-память типа TLC, способная хранить сразу 3 бита информации в одной ячейке, снискала себе недобрую славу: во-первых, малым количеством циклов перезаписи, а во-вторых, не слишком быстрой работой на запись. Все ещё помнят недавний скандал с линейкой твердотельных дисков Samsung 840 EVO, и хотя прямой вины TLC в той «эпидемии» падения производительности, охватившей линейку EVO, нет, уровень доверия к этому типу флеш-памяти среди пользователей серьёзно упал. И, как может оказаться, не только среди пользователей. Компания Apple применяет чипы TLC NAND в некоторых моделях своих продуктов, в частности, в iPhone 6 Plus, что позволяет ей пусть немного, но экономить — примерно 5 центов на гигабайт флеш-памяти.
Недавний скандал с «гнущимися iPhone» не пошёл компании на пользу, и вряд ли Apple хочет снова рисковать собственной репутацией. Но недавние случаи сбоев в работе 128-гигабайтных моделей iPhone заставляют насторожиться, поскольку в их основе может лежать всё та же злополучная TLC. Для обеспечения надёжности флеш-памяти в своих продуктах Apple использует технологию MSP (Memory Signal Processor), позаимствованную у приобретённой ранее в 2012 году компании Anobit. В совокупности с TLC это позволяет компании создавать сверхтонкие устройства с огромным, по меркам прошлого, объёмом флеш-хранилища. Но сообщения от пользователей iPhone, столкнувшихся с бесконечной перезагрузкой или крахом системы, продолжают поступать, и обновление до iOS 8.1 проблемы не решает.
Сама компания пока отказывается давать официальные комментарии по этому поводу, а без тщательного исследования сложно сказать, что же является виной массовых отказов старших моделей iPhone с большим банком флеш-памяти. Не исключено, что повторяется история Samsung и прямой вины на TLC не лежит, а виноватым может оказаться какая-то неучтённая недоработка в контроллере, обслуживающем эту память. Некоторые источники предрекают будущий отказ Apple от TLC NAND, но эти предсказания носят характер слухов. И даже если вина TLC будет доказана, у Apple есть вариант перехода на 3D V-NAND, которая благодаря грубому по нынешним меркам техпроцессу (40 нанометров) обладает отличными показателями надёжности, но при этом обеспечивает серьёзную удельную ёмкость, порядка 86 гигабит на кристалл.
Apple может прекратить использовать TLC NAND: 5 комментариев